Publikationsdetails

Zitat:	Margarita V. Stepikhova, Wolfgang Jantsch, Gudrun Kocher, Leopold Palmetshofer, M. Schoisswohl, H. J. von Bardeleben, "Direct Excitation Spectroscopy of Er Centers in Porous Silicon" , in Applied Physics Letters, Vol. 71, Nummer 20, Seite(n) 2975-2977, 11-1997, M. Stepikhova, W. Jantsch, G. Kocher, L. Palmetshofer, M. Schoisswohl, H.J. v. Bardeleben:Direct Excitation Spectroscopy of Er Centers in Porous Silicon, Appl. Phys. Lett. 71, 2975 (1997)
Original Titel:	Direct Excitation Spectroscopy of Er Centers in Porous Silicon
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Volume:	71
Number:	20
Seitenreferenz:	2975-2977
Erscheinungsmonat:	11
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	M. Stepikhova, W. Jantsch, G. Kocher, L. Palmetshofer, M. Schoisswohl, H.J. v. Bardeleben:Direct Excitation Spectroscopy of Er Centers in Porous Silicon, Appl. Phys. Lett. 71, 2975 (1997)
Anzahl der Seiten:	3
DOI:	10.1063/1.120234
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Margarita V. Stepikhova, Wolfgang Jantsch, Gudrun Kocher, Leopold Palmetshofer, M. Schoisswohl, H. J. von Bardeleben
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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