Publikationsdetails

Zitat:	, "Minority Carrier Diffusion Length at p-n Junctions Produced in p-CdHgTe by Ion Beam Milling" , 1996, E. Belas, J. Franc, R. Grill, A. Toth, P. Höschl, H. Sitter, P. Moravec, K. Lischka:Minority Carrier Diffusion Length at p-n Junctions Produced in p-CdHgTe by Ion Beam Milling; Inorganic Materials, Vol. 32, 836 (1996)
Original Titel:	Minority Carrier Diffusion Length at p-n Junctions Produced in p-CdHgTe by Ion Beam Milling
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Minority Carrier Diffusion Length at p-n Junctions Produced in p-CdHgTe by Ion Beam Milling
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	E. Belas, J. Franc, R. Grill, A. Toth, P. Höschl, H. Sitter, P. Moravec, K. Lischka:Minority Carrier Diffusion Length at p-n Junctions Produced in p-CdHgTe by Ion Beam Milling; Inorganic Materials, Vol. 32, 836 (1996)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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