Publikationsdetails

Zitat:	Friedrich Schäffler, Christoph Schelling, Gunther Springholz, ""Growth Instabilities in Si Homoepitaxy"" , in Current Developments of Microelectronics, 1999, "C. Schelling, G. Springholz, F. Schäffler: "Growth Instabilities in Si Homoepitaxy", In: "Current Developments of Microelectronics", ed. K. Riedling, Gesellschaft für Mikroelektronik, Wien 1999, p. 193."
Original Titel:	"Growth Instabilities in Si Homoepitaxy"
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Current Developments of Microelectronics
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	"C. Schelling, G. Springholz, F. Schäffler: "Growth Instabilities in Si Homoepitaxy", In: "Current Developments of Microelectronics", ed. K. Riedling, Gesellschaft für Mikroelektronik, Wien 1999, p. 193."
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Friedrich Schäffler, Christoph Schelling, Gunther Springholz
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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