Publikationsdetails

Zitat:	Leopold Palmetshofer, N. Sandersfeld, Friedrich Schäffler, H. Seyringer, G. Steinbacher, Stefan Zerlauth, ""Modulation Doped Si/Si1-xGex-Field-Effect Transistors"" , in Current Developments of Microelectronics, 1999, "N. Sandersfeld, H. Seyringer, G. Steinbacher, L. Palmetshofer, S. Zerlauth, F. Schäffler: "Modulation Doped Si/Si1-xGex-Field-Effect Transistors", In: "Current Developments of Microelectronics", ed. K. Riedling, Gesellschaft für Mikroelektronik, Wien 1999, p. 189."
Original Titel:	"Modulation Doped Si/Si1-xGex-Field-Effect Transistors"
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Current Developments of Microelectronics
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	"N. Sandersfeld, H. Seyringer, G. Steinbacher, L. Palmetshofer, S. Zerlauth, F. Schäffler: "Modulation Doped Si/Si1-xGex-Field-Effect Transistors", In: "Current Developments of Microelectronics", ed. K. Riedling, Gesellschaft für Mikroelektronik, Wien 1999, p. 189."
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Leopold Palmetshofer, N. Sandersfeld, Friedrich Schäffler, H. Seyringer, G. Steinbacher, Stefan Zerlauth
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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