Publikationsdetails

Zitat:	Wolfgang Jantsch, N. Sandersfeld, Friedrich Schäffler, Z. Wilamowski, "ESR investigations of modulation-doped Si/SiGe quantum wells" , in Thin Solid Films, 2000, N. Sandersfeld, W. Jantsch, Z. Wilamowski, F. Schäffler: ESR investigations of modulation-doped Si/SiGe quantum wells, Thin Solid Films 369, 312-315 (2000).
Original Titel:	ESR investigations of modulation-doped Si/SiGe quantum wells
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Thin Solid Films
Erscheinungsjahr:	2000
Notiz zum Zitat:	N. Sandersfeld, W. Jantsch, Z. Wilamowski, F. Schäffler: ESR investigations of modulation-doped Si/SiGe quantum wells, Thin Solid Films 369, 312-315 (2000).
DOI:	10.1016/s0040-6090(00)00870-1
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Wolfgang Jantsch, N. Sandersfeld, Friedrich Schäffler, Z. Wilamowski
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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