Publikationsdetails

Zitat:	Wolfgang Jantsch, N. Sandersfeld, Friedrich Schäffler, Z. Wilamowski, ""ESR investigations of modulation-doped Si/SiGe quantum wells"" , in Solid State Phenomena, 1999, N. Sandersfeld, W. Jantsch, Z. Wilamowski, F. Sch ffler: "ESR investigations of modulation-doped Si/SiGe quantum wells", In: Solid State Phenomena Vols. 69-70, 191-196 (1999)
Original Titel:	"ESR investigations of modulation-doped Si/SiGe quantum wells"
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Solid State Phenomena
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	N. Sandersfeld, W. Jantsch, Z. Wilamowski, F. Sch ffler: "ESR investigations of modulation-doped Si/SiGe quantum wells", In: Solid State Phenomena Vols. 69-70, 191-196 (1999)
DOI:	10.4028/www.scientific.net/SSP.69-70.191
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Wolfgang Jantsch, N. Sandersfeld, Friedrich Schäffler, Z. Wilamowski
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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