Publikationsdetails

Zitat:	E. van der Drift, S. Radelaar, Friedrich Schäffler, R. G. van Veen, A. H. Verbruggen, " Experimental study on magnetoresistance phenomena in n-type Si/SiGe quantum wires " , in Semiconductor Science and Technology , 1999, R. G. van Veen, A. H. Verbruggen, E. van der Drift, F. Sch ffler, S. Radelaar: "Experimental study on magnetoresistance phenomena in n-type Si/SiGe quantum wires", Semicond. Sci. Technol. 14, 508-516 (1999)
Original Titel:	Experimental study on magnetoresistance phenomena in n-type Si/SiGe quantum wires
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Semiconductor Science and Technology
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	R. G. van Veen, A. H. Verbruggen, E. van der Drift, F. Sch ffler, S. Radelaar: "Experimental study on magnetoresistance phenomena in n-type Si/SiGe quantum wires", Semicond. Sci. Technol. 14, 508-516 (1999)
DOI:	10.1088/0268-1242/14/6/304
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	E. van der Drift, S. Radelaar, Friedrich Schäffler, R. G. van Veen, A. H. Verbruggen
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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