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Publikationsdetails

Zitat: Friedrich Schäffler, "Electron and hole mobilities in Si/SiGe heterostructures" , 2000,
F. Schäffler: Electron and hole mobilities in Si/SiGe heterostructures, In: "Properties of Silicon Germanium and SiGe: Carbon", EMIS Data Review Series No. 24 , edited by Erich Kasper and Klara Lyutovich, University of Stuttgart, Germany. INSPEC (London) 2000, p. 196-209.
Original Titel: Electron and hole mobilities in Si/SiGe heterostructures
Sprache des Titels: Englisch
Englischer Titel: Electron and hole mobilities in Si/SiGe heterostructures
Erscheinungsjahr: 2000
Notiz zum Zitat: F. Schäffler: Electron and hole mobilities in Si/SiGe heterostructures, In: "Properties of Silicon Germanium and SiGe: Carbon", EMIS Data Review Series No. 24 , edited by Erich Kasper and Klara Lyutovich, University of Stuttgart, Germany. INSPEC (London) 2000, p. 196-209.
Publikationstyp: Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren: Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten: Abteilung für Halbleiterphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
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