Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, A. Prinz, V. M. Pudalov, " Weak-field Hall resistance and effective carrier density measurements across the metal-insulator transition in Si-MOS structures " , in Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters , 1999, V.M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer: "Weak-field Hall resistance and effective carrier density measurements across the metal-insulator transition in Si-MOS structures", JETP Letters, 70, Number 1, 48-53, 10th July 1999, ISSN No. 0021-3640
Original Titel:	Weak-field Hall resistance and effective carrier density measurements across the metal-insulator transition in Si-MOS structures
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	V.M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer: "Weak-field Hall resistance and effective carrier density measurements across the metal-insulator transition in Si-MOS structures", JETP Letters, 70, Number 1, 48-53, 10th July 1999, ISSN No. 0021-3640
DOI:	10.1134/1.568128
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, A. Prinz, V. M. Pudalov
Forschungseinheiten:	Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik Abteilung für Halbleiterphysik

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