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Publikationsdetails

Zitat: E. Wirthl, Helmut Sitter, P. Bauer, "Monocrystalline (100)-oriented ZnS layers grown on Si by molecular beam epitaxy" , in Journal of Crystal Growth, Vol. 146, Nummer 1-4, Seite(n) 404-407, 1995,
E. Wirthl, H. Sitter, P. Bauer:Monocrystalline (100)-oriented ZnS Layers Grown on Si by MBE; J. Cryst. Growth 146, 404 (1995)
Original Titel: Monocrystalline (100)-oriented ZnS layers grown on Si by molecular beam epitaxy
Sprache des Titels: Englisch
Journal: Journal of Crystal Growth
Volume: 146
Number: 1-4
Seitenreferenz: 404-407
Erscheinungsjahr: 1995
Notiz zum Zitat: E. Wirthl, H. Sitter, P. Bauer:Monocrystalline (100)-oriented ZnS Layers Grown on Si by MBE; J. Cryst. Growth 146, 404 (1995)
Anzahl der Seiten: 4
DOI: 10.1016/0022-0248(94)00523-0
Reichweite: international
Publikationstyp: Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren: E. Wirthl, Helmut Sitter, P. Bauer
Forschungseinheiten: Abteilung für Festkörperphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
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