Publikationsdetails

Zitat:	M. Tagwerker, W. Plotz, Helmut Sitter, "Three Dimensional Model Calculation of Epitaxial Growth by Monte Carlo Simulation" , in Journal of Crystal Growth, Vol. 146, Nummer 1-4, Seite(n) 220-226, 1995, M. Tagwerker, W.M. Plotz, H. Sitter: Three Dimensional Model Calculation of Epitaxial Growth by Monte Carlo Simulation; J.Cryst. Growth 146, 220 (1995)
Original Titel:	Three Dimensional Model Calculation of Epitaxial Growth by Monte Carlo Simulation
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Crystal Growth
Volume:	146
Number:	1-4
Seitenreferenz:	220-226
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	M. Tagwerker, W.M. Plotz, H. Sitter: Three Dimensional Model Calculation of Epitaxial Growth by Monte Carlo Simulation; J.Cryst. Growth 146, 220 (1995)
Anzahl der Seiten:	7
DOI:	10.1016/0022-0248(94)00531-1
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	M. Tagwerker, W. Plotz, Helmut Sitter
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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