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"Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulation"
, 1995, G. Hobler, A. Simionescu, L. Palmetshofer, C. Tian, G. Stingeder:Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulat, J. Appl. Phys. 77, 3697 (1995)
Original Titel:
Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulation
Sprache des Titels:
Englisch
Englischer Titel:
Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulat
Erscheinungsjahr:
1995
Notiz zum Zitat:
G. Hobler, A. Simionescu, L. Palmetshofer, C. Tian, G. Stingeder:Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulat, J. Appl. Phys. 77, 3697 (1995)
Publikationstyp:
Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift