Publikationsdetails

Zitat:	G. Hobler, A. Simionescu, Leopold Palmetshofer, C. Tian, G. Stingeder, "Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulation" , in Journal of Applied Physics, Vol. 77, Seite(n) 3697?3703, 1995, G. Hobler, A. Simionescu, L. Palmetshofer, C. Tian, G. Stingeder:Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulat, J. Appl. Phys. 77, 3697 (1995)
Original Titel:	Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulation
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Applied Physics
Volume:	77
Seitenreferenz:	3697?3703
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	G. Hobler, A. Simionescu, L. Palmetshofer, C. Tian, G. Stingeder:Boron Channeling Implantations in Silicon: Modeling of Electronic Stopping and Damage Accumulat, J. Appl. Phys. 77, 3697 (1995)
Anzahl der Seiten:	7
DOI:	10.1063/1.358608
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Hobler, A. Simionescu, Leopold Palmetshofer, C. Tian, G. Stingeder
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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