Publikationsdetails

Zitat:	, "Deep Defect Levels and Mechanical Strain in Ge+-implanted Silicon" , 1995, Yu.R. Suprun-Belevich, L. Palmetshofer;Deep Defect Levels and Mechanical Strain in Ge+-implanted Silicon, Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res. B 96, 245 (1995)
Original Titel:	Deep Defect Levels and Mechanical Strain in Ge+-implanted Silicon
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Deep Defect Levels and Mechanical Strain in Ge+-implanted Silicon
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	Yu.R. Suprun-Belevich, L. Palmetshofer;Deep Defect Levels and Mechanical Strain in Ge+-implanted Silicon, Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res. B 96, 245 (1995)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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