Publikationsdetails

Zitat:	, "Epitaxial Growth and Physical Properties of HgSe:Fe Layers and Microstructures" , 1995, T. Widmer, D. Schikora, G. Hendorfer, G. Machel, M. Barczewski, W. Jantsch, K. Lischka, M. v. Ortenberg:Epitaxial Growth and Physical Properties of HgSe:Fe Layers and Microstructures, Proc. 22nd Int. Conf. Phys. of Semicond., Ed. D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore 1995) p 2557
Original Titel:	Epitaxial Growth and Physical Properties of HgSe:Fe Layers and Microstructures
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Epitaxial Growth and Physical Properties of HgSe:Fe Layers and Microstructures
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	T. Widmer, D. Schikora, G. Hendorfer, G. Machel, M. Barczewski, W. Jantsch, K. Lischka, M. v. Ortenberg:Epitaxial Growth and Physical Properties of HgSe:Fe Layers and Microstructures, Proc. 22nd Int. Conf. Phys. of Semicond., Ed. D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore 1995) p 2557
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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