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"On the Structure of Er Centers in Er-implanted Si"
, 1995, W. Jantsch, G. Hendorfer, M. Bruckner, L. Palmetshofer, H. Przybylinska:On the Structure of Er Centers in Er-implanted Si; Proc. 22nd Int. Conf. Phys. of Semicond., Ed. D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore 1995) p 2411
Original Titel:
On the Structure of Er Centers in Er-implanted Si
Sprache des Titels:
Englisch
Englischer Titel:
On the Structure of Er Centers in Er-implanted Si
Erscheinungsjahr:
1995
Notiz zum Zitat:
W. Jantsch, G. Hendorfer, M. Bruckner, L. Palmetshofer, H. Przybylinska:On the Structure of Er Centers in Er-implanted Si; Proc. 22nd Int. Conf. Phys. of Semicond., Ed. D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore 1995) p 2411
Publikationstyp:
Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungs-