Publikationsdetails

Zitat:	S. Herzog, A. Simionescu, G. Hobler, Leopold Palmetshofer, Kurt Piplits, M. Grasserbauer, "Monte Carlo Simulation of Channelled Phosphorus Implantations in Silicon" , in H.C. de Graaff, H. van Kranenburg: Proc. ESSDERC 95, Seite(n) 187, 1995, S. Herzog, A. Simionescu, G. Hobler, L. Palmetshofer, K. Piplits, M. Grasserbauer. Proc. ESSDERC 95, Eds. H.C. de Graaff, H. van Kranenburg:Monte Carlo Simulation of Channelled Phosphorus Implantations in Silicon; (Edition Frontiers 1995) p 187
Original Titel:	Monte Carlo Simulation of Channelled Phosphorus Implantations in Silicon
Sprache des Titels:	Englisch
Original Buchtitel:	Proc. ESSDERC 95
Seitenreferenz:	187
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	S. Herzog, A. Simionescu, G. Hobler, L. Palmetshofer, K. Piplits, M. Grasserbauer. Proc. ESSDERC 95, Eds. H.C. de Graaff, H. van Kranenburg:Monte Carlo Simulation of Channelled Phosphorus Implantations in Silicon; (Edition Frontiers 1995) p 187
Anzahl der Seiten:	1
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in Tagungsband (nicht-referiert)
Autoren:	S. Herzog, A. Simionescu, G. Hobler, Leopold Palmetshofer, Kurt Piplits, M. Grasserbauer
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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