JKU Linz  
 
 


Publikationsdetails

Zitat: , "Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide" , 1996,
T. Schmidt, L. Palmetshofer:Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide, In: Ion Beam Modification of Materials, Eds. J.S. Williams, R.G. Elliman, M.C. Ridgway (Elsevier 1996) p 853
Original Titel: Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide
Sprache des Titels: Englisch
Englischer Titel: Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide
Erscheinungsjahr: 1996
Notiz zum Zitat: T. Schmidt, L. Palmetshofer:Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide, In: Ion Beam Modification of Materials, Eds. J.S. Williams, R.G. Elliman, M.C. Ridgway (Elsevier 1996) p 853
Publikationstyp: Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten: Abteilung für Festkörperphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
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