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Publikationsdetails

Zitat: T. Schmidt, Leopold Palmetshofer, "Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide" , in J.S. Williams, R.G. Elliman, M.C. Ridgway: Ion Beam Modification of Materials, Elsevier, Seite(n) 853ff, 1996, ISBN: 9780444599742,
T. Schmidt, L. Palmetshofer:Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide, In: Ion Beam Modification of Materials, Eds. J.S. Williams, R.G. Elliman, M.C. Ridgway (Elsevier 1996) p 853
Original Titel: Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide
Sprache des Titels: Englisch
Original Buchtitel: Ion Beam Modification of Materials
Veröffentlicher: Elsevier
Seitenreferenz: 853ff
Erscheinungsjahr: 1996
Notiz zum Zitat: T. Schmidt, L. Palmetshofer:Defect Levels in H+-bombarded Gallium Arsenide, In: Ion Beam Modification of Materials, Eds. J.S. Williams, R.G. Elliman, M.C. Ridgway (Elsevier 1996) p 853
ISBN: 9780444599742
Reichweite: international
Publikationstyp: Aufsatz / Paper in Sammelwerk (nicht-referiert)
Autoren: T. Schmidt, Leopold Palmetshofer
Forschungseinheiten: Abteilung für Festkörperphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
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