Publikationsdetails

Zitat:	G. Hobler, A. Simionescu, F. Jahnel, R. von Criegern, C. Tian, G. Stingeder, "Verification of Models for the Simulation of Boron Implantation into Crystalline Silicon" , in Journal of Vacuum Science and Technology B, Seite(n) 272-277, 1996, G. Hobler, A. Simionescu, L. Palmetshofer, F. Jahnel, R.v. Criegern, C. Tian, G. Stingeder: Verification of Models for the Simulation of Boron Implantation into Crystalline Silicon; J. Vac. Sci. Technol. B 14, 272 (1996)
Original Titel:	Verification of Models for the Simulation of Boron Implantation into Crystalline Silicon
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Vacuum Science and Technology B
Seitenreferenz:	272-277
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	G. Hobler, A. Simionescu, L. Palmetshofer, F. Jahnel, R.v. Criegern, C. Tian, G. Stingeder: Verification of Models for the Simulation of Boron Implantation into Crystalline Silicon; J. Vac. Sci. Technol. B 14, 272 (1996)
Anzahl der Seiten:	6
DOI:	10.1116/1.588460
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Hobler, A. Simionescu, F. Jahnel, R. von Criegern, C. Tian, G. Stingeder
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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