Publikationsdetails

Zitat:	, "Behaviour of Radiation Defects under the Influence of Mechanical Strain in Ion-impanted Silicon" , 1997, Yu. Suprun-Belevich, L. Palmetshofer:Behaviour of Radiation Defects under the Influence of Mechanical Strain in Ion-impanted Silicon, Nucl. Instr. Meth. B 127/128, 38 (1997)
Original Titel:	Behaviour of Radiation Defects under the Influence of Mechanical Strain in Ion-impanted Silicon
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Behaviour of Radiation Defects under the Influence of Mechanical Strain in Ion-impanted Silicon
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	Yu. Suprun-Belevich, L. Palmetshofer:Behaviour of Radiation Defects under the Influence of Mechanical Strain in Ion-impanted Silicon, Nucl. Instr. Meth. B 127/128, 38 (1997)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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