Hanka Przybylinska, Wolfgang Jantsch, Gerhard Lanzerstorfer, C. Skierbiszewski, Leopold Palmetshofer,
"High Pressure Studies of the Photoluminescence Yield of Erbium in Silicon"
, in M. Scheffler, R. Zimmermann: The Physics of Semiconductors, Seite(n) 3037, 1996, H. Przybylinska, W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, C. Skierbiszewski, L. Palmetshofer. In: The Physics of Semiconductors, Eds. M. Scheffler, R. Zimmermann:High Pressure Studies of the Photoluminescence Yield of Erbium in Silicon, (World Scientific 1996) p 3037
Original Titel:
High Pressure Studies of the Photoluminescence Yield of Erbium in Silicon
Sprache des Titels:
Englisch
Original Buchtitel:
The Physics of Semiconductors
Seitenreferenz:
3037
Erscheinungsjahr:
1996
Notiz zum Zitat:
H. Przybylinska, W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, C. Skierbiszewski, L. Palmetshofer. In: The Physics of Semiconductors, Eds. M. Scheffler, R. Zimmermann:High Pressure Studies of the Photoluminescence Yield of Erbium in Silicon, (World Scientific 1996) p 3037