Publikationsdetails

Zitat:	Wolfgang Jantsch, Z. Wilamowski, N. Sandersfeld, Friedrich Schäffler, "ESR Investigations of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells" , in Physica Status Solidi B: Basic Research, Vol. 210, Nummer 2, Seite(n) 643-648, 12-1998, W. Jantsch, Z. Wilamowski, N. Sandersfeld, F. Sch ffler: "ESR Investigations of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells", Solid State Physics, 210, 643-648 (1998);
Original Titel:	ESR Investigations of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Physica Status Solidi B: Basic Research
Volume:	210
Number:	2
Seitenreferenz:	643-648
Erscheinungsmonat:	12
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	W. Jantsch, Z. Wilamowski, N. Sandersfeld, F. Sch ffler: "ESR Investigations of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells", Solid State Physics, 210, 643-648 (1998);
Anzahl der Seiten:	6
DOI:	10.1002/(SICI)1521-3951(199812)210:2<643::AID-PSSB643>3.0.CO;2-P
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Wolfgang Jantsch, Z. Wilamowski, N. Sandersfeld, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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