Günther Bauer, E. Carlino, I. Eisele, M. Gusso, H. von Känel, C. Penn, C. Rosenblad, J. Schulze, Julian Stangl, L. Tapfer,
""SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process""
, 1999, C. Rosenblad, H. von K
nel, J. Stangl, C. Penn, G. Bauer, J. Schulze, I. Eisele, M. Gusso, E. Carlino, L. Tapfer: "SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process", Proc. 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, ed. D. Gershoni, World Scientific, Singapore 1999, # 1199 (CD-ISBN: 981-02-4030-9)
Original Titel:
"SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process"
Sprache des Titels:
Englisch
Englischer Titel:
SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process
Erscheinungsjahr:
1999
Notiz zum Zitat:
C. Rosenblad, H. von K
nel, J. Stangl, C. Penn, G. Bauer, J. Schulze, I. Eisele, M. Gusso, E. Carlino, L. Tapfer: "SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process", Proc. 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, ed. D. Gershoni, World Scientific, Singapore 1999, # 1199 (CD-ISBN: 981-02-4030-9)
Anzahl der Seiten:
0
Publikationstyp:
Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift