Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, E. Carlino, I. Eisele, M. Gusso, H. von Känel, C. Penn, C. Rosenblad, J. Schulze, Julian Stangl, L. Tapfer, ""SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process"" , 1999, C. Rosenblad, H. von K nel, J. Stangl, C. Penn, G. Bauer, J. Schulze, I. Eisele, M. Gusso, E. Carlino, L. Tapfer: "SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process", Proc. 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, ed. D. Gershoni, World Scientific, Singapore 1999, # 1199 (CD-ISBN: 981-02-4030-9)
Original Titel:	"SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	C. Rosenblad, H. von K nel, J. Stangl, C. Penn, G. Bauer, J. Schulze, I. Eisele, M. Gusso, E. Carlino, L. Tapfer: "SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced cvd process", Proc. 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, ed. D. Gershoni, World Scientific, Singapore 1999, # 1199 (CD-ISBN: 981-02-4030-9)
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, E. Carlino, I. Eisele, M. Gusso, H. von Känel, C. Penn, C. Rosenblad, J. Schulze, Julian Stangl, L. Tapfer
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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