Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, M. Berti, A.V. Drigo, F. Romanato, D. de Salvador, Friedrich Schäffler, Julian Stangl, Stefan Zerlauth, ""Strong deviation of the lattice parameter in Si1-x-yGexCy Epilayers from vegard's rule"" , 1998, J. Stangl, S. Zerlauth, F. Sch ffler, G. Bauer, M. Berti, D. de Salvador, A.V. Drigo, F. Romanato: "Strong deviation of the lattice parameter in Si1-x-yGexCy Epilayers from vegard's rule", Mat.Res. Soc.Symp.Proc., 533, 257-262 (1998)
Original Titel:	"Strong deviation of the lattice parameter in Si1-x-yGexCy Epilayers from vegard's rule"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Strong deviation of the lattice parameter in Si1-x-yGexCy Epilayers from vegard's rule
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	J. Stangl, S. Zerlauth, F. Sch ffler, G. Bauer, M. Berti, D. de Salvador, A.V. Drigo, F. Romanato: "Strong deviation of the lattice parameter in Si1-x-yGexCy Epilayers from vegard's rule", Mat.Res. Soc.Symp.Proc., 533, 257-262 (1998)
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, M. Berti, A.V. Drigo, F. Romanato, D. de Salvador, Friedrich Schäffler, Julian Stangl, Stefan Zerlauth
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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