JKU Linz  
 
 


Publikationsdetails

Zitat: Z. Shi, Gunther Springholz, H. Zogg, ""Molecular beam epitaxy of narrow gap IV-VI semiconductors"" , 1999,
G. Springholz, Z. Shi, H. Zogg: "Molecular beam epitaxy of narrow gap IV-VI semiconductors", Heteroepitaxy: Thin Film Systems eds. M.B. Santos and A.W.K. Liu, World Scientific Publ.Co.,Singapore, in print.
Original Titel: "Molecular beam epitaxy of narrow gap IV-VI semiconductors"
Sprache des Titels: Englisch
Englischer Titel: Molecular beam epitaxy of narrow gap IV-VI semiconductors
Erscheinungsjahr: 1999
Notiz zum Zitat: G. Springholz, Z. Shi, H. Zogg: "Molecular beam epitaxy of narrow gap IV-VI semiconductors", Heteroepitaxy: Thin Film Systems eds. M.B. Santos and A.W.K. Liu, World Scientific Publ.Co.,Singapore, in print.
Anzahl der Seiten: 0
Publikationstyp: Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren: Z. Shi, Gunther Springholz, H. Zogg
Forschungseinheiten: Abteilung für Halbleiterphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
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