Günther Bauer, U. Gösele, A. Plößl, S. Senz, Julian Stangl, Stefan Zerlauth,
"Growth of partially strain-relaxed Si1-yCy epilayers on (100) Si"
, in Applied Physics A, 1998, S. Senz, A. Plößl, U. Gösele, S. Zerlauth, J. Stangl, G. Bauer: "Growth of partially strain-relaxed Si1-yCy epilayers on (100) Si", Applied Physics A, 67, 147-150 (1998),
Original Titel:
Growth of partially strain-relaxed Si1-yCy epilayers on (100) Si
Sprache des Titels:
Englisch
Journal:
Applied Physics A
Erscheinungsjahr:
1998
Notiz zum Zitat:
S. Senz, A. Plößl, U. Gösele, S. Zerlauth, J. Stangl, G. Bauer: "Growth of partially strain-relaxed Si1-yCy epilayers on (100) Si", Applied Physics A, 67, 147-150 (1998),
Publikationstyp:
Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungs-