Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, Friedrich Schäffler, H. Seyringer, Gunther Springholz, Julian Stangl, "Strain relaxation and surface morphology of compositionally graded Si/Si1-xGexbuffers" , in Journal of Vacuum Science and Technology B, 1998, J. H. Li, G. Springholz, J. Stangl, H. Seyringer, V. Holy, F. Sch ffler, G. Bauer: "Strain relaxation and surface morphology of compositionally graded Si/Si1-xGexbuffers", J. Vac. Science Technology, B 16(3) May/Jun., 1610-1615, (1998), ISSN-No. 0734-211X
Original Titel:	Strain relaxation and surface morphology of compositionally graded Si/Si1-xGexbuffers
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Vacuum Science and Technology B
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	J. H. Li, G. Springholz, J. Stangl, H. Seyringer, V. Holy, F. Sch ffler, G. Bauer: "Strain relaxation and surface morphology of compositionally graded Si/Si1-xGexbuffers", J. Vac. Science Technology, B 16(3) May/Jun., 1610-1615, (1998), ISSN-No. 0734-211X
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, Friedrich Schäffler, H. Seyringer, Gunther Springholz, Julian Stangl
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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