Publikationsdetails

Zitat:	C. Penn, Friedrich Schäffler, H. Seyringer, Stefan Zerlauth, "Growth conditons for complete substitutional carbon incorporation into Si1-yCy layers grown by molecular beam epitaxy" , in Applied Physics Letters, 1997, ISSN: 0003-6951, S. Zerlauth, H. Seyringer, C. Penn, F. Sch ffler: "Growth conditons for complete substitutional carbon incorporation into Si1-yCy layers grown by molecular beam epitaxy", Appl. Phys. Lett., 71, 3826-3828 (1997), ISSN-Number 0003-6951
Original Titel:	Growth conditons for complete substitutional carbon incorporation into Si1-yCy layers grown by molecular beam epitaxy
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	S. Zerlauth, H. Seyringer, C. Penn, F. Sch ffler: "Growth conditons for complete substitutional carbon incorporation into Si1-yCy layers grown by molecular beam epitaxy", Appl. Phys. Lett., 71, 3826-3828 (1997), ISSN-Number 0003-6951
ISSN:	0003-6951
DOI:	10.1063/1.120517
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	C. Penn, Friedrich Schäffler, H. Seyringer, Stefan Zerlauth
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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