Friedrich Schäffler,
"High-mobility Si and Ge structures"
, in Semiconductor Science and Technology, 1997, ISSN: 0268-1242, F. Sch
ffler: High-mobility Si and Ge structures, Semicond. Science and Technology, 12, 1515-1549 (1997), ISSN-Number 0268-1242
Original Titel:
High-mobility Si and Ge structures
Sprache des Titels:
Englisch
Journal:
Semiconductor Science and Technology
Erscheinungsjahr:
1997
Notiz zum Zitat:
F. Sch
ffler: High-mobility Si and Ge structures, Semicond. Science and Technology, 12, 1515-1549 (1997), ISSN-Number 0268-1242
ISSN:
0268-1242
Publikationstyp:
Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungs-