Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, Friedrich Schäffler, "Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures" , in Journal of Applied Physics , 1997, ISSN: 0021-8979, J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, F. Sch ffler: "Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures", J. Appl. Phys.82 , 2881-2886 (1997), ISSN-Number 0021-8979
Original Titel:	Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Applied Physics
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, F. Sch ffler: "Strain relaxation in high electron mobility Si1-xGex/Si structures", J. Appl. Phys.82 , 2881-2886 (1997), ISSN-Number 0021-8979
ISSN:	0021-8979
DOI:	10.1063/1.366281
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Vaclav Holy, J. H. Li, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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