Publikationsdetails

Zitat:	Thomas Ebner, H.-J. Herzog, R. Sauer, Friedrich Schäffler, K. Thonke, "Electroreflectance spectroscopy of strained Si1-xGex layrers on silicon" , in Applied Surface Science , 1996, ISSN: 0039-6028, T. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, F. Sch ffler, H.J. Herzog: "Electroreflectance spectroscopy of strained Si1-xGex layrers on silicon", Appl. Surf. Sci. 102, 90-93 (1996), ISSN-Number 0039-6028
Original Titel:	Electroreflectance spectroscopy of strained Si1-xGex layrers on silicon
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Surface Science
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	T. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, F. Sch ffler, H.J. Herzog: "Electroreflectance spectroscopy of strained Si1-xGex layrers on silicon", Appl. Surf. Sci. 102, 90-93 (1996), ISSN-Number 0039-6028
ISSN:	0039-6028
DOI:	10.1016/0169-4332(96)00028-1
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Thomas Ebner, H.-J. Herzog, R. Sauer, Friedrich Schäffler, K. Thonke
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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