Publikationsdetails

Zitat:	G. Abstreiter, P. Baumgartner, C. Engel, M. Holzmann, J. Nützel, Friedrich Schäffler, "Fabrication of n- and p- channel in-plane-gate transistors from Si/SiGe/Ge heterostructures by focused laser beam writing" , in Applied Physics Letters , 1996, ISSN: 0003-6951, "M. Holzmann, P. Baumgartner, C. Engel, J.F. Nützel, G. Abstreiter, F. Schäffler: "Fabrication of n- and p- channel in-plane-gate transistors from Si/SiGe/Ge heterostructures by focused laser beam writing", Appl. Phys. Lett. 68, 3025-3027 (1996), ISSN-Number 0003-6951"
Original Titel:	Fabrication of n- and p- channel in-plane-gate transistors from Si/SiGe/Ge heterostructures by focused laser beam writing
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	"M. Holzmann, P. Baumgartner, C. Engel, J.F. Nützel, G. Abstreiter, F. Schäffler: "Fabrication of n- and p- channel in-plane-gate transistors from Si/SiGe/Ge heterostructures by focused laser beam writing", Appl. Phys. Lett. 68, 3025-3027 (1996), ISSN-Number 0003-6951"
ISSN:	0003-6951
DOI:	10.1063/1.115565
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Abstreiter, P. Baumgartner, C. Engel, M. Holzmann, J. Nützel, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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