Publikationsdetails

Zitat:	G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, Friedrich Schäffler, D. Többen, D.A. Wharam, "Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena" , in Solid-State Electronics , 1996, ISSN: 0038-1101, D. Többen, D.A. Wharam, G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, F. Schäffler: "Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena", Solid State Electronics 40, 405-408 (1996), ISSN-Number 0038-1101
Original Titel:	Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Solid-State Electronics
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	D. Többen, D.A. Wharam, G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, F. Schäffler: "Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity related magnetotransport phenomena", Solid State Electronics 40, 405-408 (1996), ISSN-Number 0038-1101
ISSN:	0038-1101
DOI:	10.1016/0038-1101(95)00298-7
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, Friedrich Schäffler, D. Többen, D.A. Wharam
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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