Publikationsdetails

Zitat:	G. Abstreiter, Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy, J. Nützel, Julian Stangl, "Interface roughness in strained Si/SiGe multilayers" , in MRS Online Proceedings Library, 1997, A.A. Darhuber, V. Holy, J. Stangl, G. Bauer, J. Nützel, G. Abstreiter: "Interface roughness in strained Si/SiGe multilayers", Materials Research Society 448, 199-204 (1997). ISBN 1-55899-352-5
Original Titel:	Interface roughness in strained Si/SiGe multilayers
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	MRS Online Proceedings Library
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	A.A. Darhuber, V. Holy, J. Stangl, G. Bauer, J. Nützel, G. Abstreiter: "Interface roughness in strained Si/SiGe multilayers", Materials Research Society 448, 199-204 (1997). ISBN 1-55899-352-5
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Abstreiter, Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy, J. Nützel, Julian Stangl
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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