Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, T. Dietl, J. Jaroszynski, A. Prinz, M. Sawicki, Friedrich Schäffler, G. Stöger, "Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices" , in Semiconductor Science and Technology, 1996, ISSN: 0268-1242, G. Brunthaler, T. Dietl, M. Sawicki, G. Stöger, J. Jaroszynski, A. Prinz, F. Schäffler, G. Bauer: "Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices", Semicond.Sci.Technol. 11, 1624-1629 (1996), ISSN-Number 0268-1242
Original Titel:	Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Semiconductor Science and Technology
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	G. Brunthaler, T. Dietl, M. Sawicki, G. Stöger, J. Jaroszynski, A. Prinz, F. Schäffler, G. Bauer: "Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices", Semicond.Sci.Technol. 11, 1624-1629 (1996), ISSN-Number 0268-1242
ISSN:	0268-1242
DOI:	10.1088/0268-1242/11/11s/030
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, T. Dietl, J. Jaroszynski, A. Prinz, M. Sawicki, Friedrich Schäffler, G. Stöger
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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