Publikationsdetails

Zitat:	H.-J. Herzog, Martin Hohnisch, Friedrich Schäffler, "Relaxation of compositionally graded Si1-xGex buffers: a TEM study" , in Journal of Crystal Growth, 1995, ISSN: 0022-0248, M. Hohnisch, H.-J. Herzog, F. Sch ffler: "Relaxation of compositionally graded Si1-xGex buffers: a TEM study", J. Crystal Growth 157, 126 (1995), ISSN-Number 0022-0248
Original Titel:	Relaxation of compositionally graded Si1-xGex buffers: a TEM study
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Crystal Growth
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	M. Hohnisch, H.-J. Herzog, F. Sch ffler: "Relaxation of compositionally graded Si1-xGex buffers: a TEM study", J. Crystal Growth 157, 126 (1995), ISSN-Number 0022-0248
ISSN:	0022-0248
DOI:	10.1016/0022-0248(95)00380-0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	H.-J. Herzog, Martin Hohnisch, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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