Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy, "Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping" , in MRS Online Proceedings Library, 1996, G. Bauer, A. Darhuber, V. Holy: "Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping", Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 406, 457-468 (1996), ISBN 1-55899-352-5
Original Titel:	Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	MRS Online Proceedings Library
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	G. Bauer, A. Darhuber, V. Holy: "Structural characterization of reactive ion etched semiconductor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping", Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 406, 457-468 (1996), ISBN 1-55899-352-5
DOI:	10.1557/proc-406-457
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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