Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, H. Straub, C. Vieu, "Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching" , in Journal of Crystal Growth, 1996, ISSN: 0022-0248, H. Straub, G. Brunthaler, W. Faschinger, G. Bauer, C. Vieu: "Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching", J. Crystal Growth 159, 451-454 (1996), ISSN-Number 0022-0248
Original Titel:	Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Crystal Growth
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	H. Straub, G. Brunthaler, W. Faschinger, G. Bauer, C. Vieu: "Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe quantum well structures fabricated by reactive ion etching", J. Crystal Growth 159, 451-454 (1996), ISSN-Number 0022-0248
ISSN:	0022-0248
DOI:	10.1016/0022-0248(95)00591-9
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, W. Faschinger, H. Straub, C. Vieu
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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