Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, T. Dietl, J. Jaroszynski, M. Sawicki, Friedrich Schäffler, G. Stöger, "Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices" , in Solid-State Electronics, 1996, ISSN: 0038-1101, G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, J. Jaroszynski, M. Sawicki, T. Dietl, F. Schäffler: "Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices", Solid State Electronics 40, 47-51 (1996), ISSN-Number 0038-1101
Original Titel:	Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Solid-State Electronics
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, J. Jaroszynski, M. Sawicki, T. Dietl, F. Schäffler: "Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices", Solid State Electronics 40, 47-51 (1996), ISSN-Number 0038-1101
ISSN:	0038-1101
DOI:	10.1016/0038-1101(95)00211-1
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, T. Dietl, J. Jaroszynski, M. Sawicki, Friedrich Schäffler, G. Stöger
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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