Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, H.-J. Herzog, Martin Hohnisch, Vaclav Holy, J. H. Li, Friedrich Schäffler, "Strain relaxation and misfit dislocations in compositionally graded Si1-xGex layers on Si (001)" , in Journal of Crystal Growth, 1995, ISSN: 0022-0248, J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, M. Hohnisch, H.-J. Herzog, F. Sch ffler: "Strain relaxation and misfit dislocations in compositionally graded Si1-xGex layers on Si (001)", J. Crystal Growth 157, 137 (1995), ISSN-Number 0022-0248
Original Titel:	Strain relaxation and misfit dislocations in compositionally graded Si1-xGex layers on Si (001)
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Crystal Growth
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	J.H. Li, V. Holy, G. Bauer, M. Hohnisch, H.-J. Herzog, F. Sch ffler: "Strain relaxation and misfit dislocations in compositionally graded Si1-xGex layers on Si (001)", J. Crystal Growth 157, 137 (1995), ISSN-Number 0022-0248
ISSN:	0022-0248
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, H.-J. Herzog, Martin Hohnisch, Vaclav Holy, J. H. Li, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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