Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, H.-J. Herzog, Martin Hohnisch, Ewald Koppensteiner, J. H. Li, Friedrich Schäffler, "Evolution of strain relaxation in compositionally graded Si1-xGex films on Si (001)" , in Applied Physics Letters, 1995, ISSN: 0003-6951, J.H. Li, E. Koppensteiner, G. Bauer, M. Hohnisch, H.-J. Herzog, F. Sch ffler: "Evolution of strain relaxation in compositionally graded Si1-xGex films on Si (001)", Appl. Phys. Lett. 67, 223 (1995), ISSN-Number 0003-6951
Original Titel:	Evolution of strain relaxation in compositionally graded Si1-xGex films on Si (001)
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	J.H. Li, E. Koppensteiner, G. Bauer, M. Hohnisch, H.-J. Herzog, F. Sch ffler: "Evolution of strain relaxation in compositionally graded Si1-xGex films on Si (001)", Appl. Phys. Lett. 67, 223 (1995), ISSN-Number 0003-6951
ISSN:	0003-6951
DOI:	10.1063/1.114674
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, H.-J. Herzog, Martin Hohnisch, Ewald Koppensteiner, J. H. Li, Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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