Publikationsdetails

Zitat:	W. Faschinger, Helmut Sitter, "Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates" , in Journal of Crystal Growth, 1990, W. Faschinger, H. Sitter: "Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates", J. Crystal Growth 99, 566 (1990)
Original Titel:	Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Crystal Growth
Erscheinungsjahr:	1990
Notiz zum Zitat:	W. Faschinger, H. Sitter: "Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates", J. Crystal Growth 99, 566 (1990)
DOI:	10.1016/0022-0248(90)90584-8
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	W. Faschinger, Helmut Sitter
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

fodok.jku.at

Benutzerbetreuung: Sandra Winzer, letzte Änderung:

Johannes Kepler Universität (JKU) Linz, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria
Telefon + 43 732 / 2468 - 9121, Fax + 43 732 / 2468 - 29121, Internet www.jku.at, Impressum