Publikationsdetails

Zitat:	E. Colas, B. Van der Gaag, J.R. Hayes, Manfred Helm, D.M. Hwang, L.M. Schiavone, "Anisotropic transport in a modulation-doped GaAs quantum well microstructured by growth on a submicron grating" , in Applied Physics Letters, 1991, ISSN: 0003-6951, M. Helm, E. Colas, J.R. Hayes, B. Van der Gaag, L.M. Schiavone, D.M. Hwang: "Anisotropic transport in a modulation-doped GaAs quantum well microstructured by growth on a submicron grating", Appl. Phys. Lett. 58, 1320 (1991), ISSN-Number 0003-6951
Original Titel:	Anisotropic transport in a modulation-doped GaAs quantum well microstructured by growth on a submicron grating
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Erscheinungsjahr:	1991
Notiz zum Zitat:	M. Helm, E. Colas, J.R. Hayes, B. Van der Gaag, L.M. Schiavone, D.M. Hwang: "Anisotropic transport in a modulation-doped GaAs quantum well microstructured by growth on a submicron grating", Appl. Phys. Lett. 58, 1320 (1991), ISSN-Number 0003-6951
ISSN:	0003-6951
DOI:	10.1063/1.104297
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	E. Colas, B. Van der Gaag, J.R. Hayes, Manfred Helm, D.M. Hwang, L.M. Schiavone
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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