Publikationsdetails

Zitat:	M. Heuken, Ewald Koppensteiner, T.W. Ryan, J. Söllner, "Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE" , in Journal of Physics D: Applied Physics, 1993, ISSN: 0022-3727, E. Koppensteiner, T.W. Ryan, M. Heuken, J. Söllner: "Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE", J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 35 (1993), ISSN-Number 0022-3727
Original Titel:	Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Physics D: Applied Physics
Erscheinungsjahr:	1993
Notiz zum Zitat:	E. Koppensteiner, T.W. Ryan, M. Heuken, J. Söllner: "Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE", J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 35 (1993), ISSN-Number 0022-3727
ISSN:	0022-3727
DOI:	10.1088/0022-3727/26/4A/008
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	M. Heuken, Ewald Koppensteiner, T.W. Ryan, J. Söllner
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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