Publikationsdetails

Zitat:	M. Heuken, E. Koppensteiner, T.W. Ryan, J. Söllner, ""Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE"" , 1993, ISBN: 0022-3727, E. Koppensteiner, T.W. Ryan, M. Heuken, J. Söllner: "Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE", J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 35 (1993), ISSN-Number 0022-3727
Original Titel:	"Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE
Erscheinungsjahr:	1993
Notiz zum Zitat:	E. Koppensteiner, T.W. Ryan, M. Heuken, J. Söllner: "Combining four-crystal-seven-reflection and three-crystal-five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE", J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 35 (1993), ISSN-Number 0022-3727
ISBN:	0022-3727
Anzahl der Seiten:	0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	M. Heuken, E. Koppensteiner, T.W. Ryan, J. Söllner
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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