Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, A. Forstner, C. Giftge, M. Lang, K. Lischka, M. von Ortenberg, D. Schikora, T. Widmer, "Molecular beam epitaxy of ZnS on (001) GaAs using elemental sources" , in Semiconductor Science and Technology, 1994, M. Lang, D. Schikora, C. Giftge, T. Widmer, A. Forstner, G. Brunthaler, M. von Ortenberg, K. Lischka: "Molecular beam epitaxy of ZnS on (001) GaAs using elemental sources", Semicond. Sci. Technol. 9, 2229 (1994)
Original Titel:	Molecular beam epitaxy of ZnS on (001) GaAs using elemental sources
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Semiconductor Science and Technology
Erscheinungsjahr:	1994
Notiz zum Zitat:	M. Lang, D. Schikora, C. Giftge, T. Widmer, A. Forstner, G. Brunthaler, M. von Ortenberg, K. Lischka: "Molecular beam epitaxy of ZnS on (001) GaAs using elemental sources", Semicond. Sci. Technol. 9, 2229 (1994)
DOI:	10.1088/0268-1242/9/12/011
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Gerhard Brunthaler, A. Forstner, C. Giftge, M. Lang, K. Lischka, M. von Ortenberg, D. Schikora, T. Widmer
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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