Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, K. Köhler, E. Litwin-Staszewska, C. Penn, T. Suski, P. Wisniewski, "Influence of spatial doping correlation on scattering times studied in gated and ungated GaAs/AlGaAs quantum wells under hydrostatic pressure" , in Solid-State Electronics, Seite(n) 105-108, 1996, ISSN: 0038-1101, G. Brunthaler, C. Penn, T. Suski, P. Wisniewski, E. Litwin-Staszewska, K. Köhler: "Influence of spatial doping correlation on scattering times studied in gated and ungated GaAs/AlGaAs quantum wells under hydrostatic pressure", Solid State Electronics 40, 105-108 (1996), ISSN-Number 0038-1101
Original Titel:	Influence of spatial doping correlation on scattering times studied in gated and ungated GaAs/AlGaAs quantum wells under hydrostatic pressure
Sprache des Titels:	Deutsch
Journal:	Solid-State Electronics
Seitenreferenz:	105-108
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	G. Brunthaler, C. Penn, T. Suski, P. Wisniewski, E. Litwin-Staszewska, K. Köhler: "Influence of spatial doping correlation on scattering times studied in gated and ungated GaAs/AlGaAs quantum wells under hydrostatic pressure", Solid State Electronics 40, 105-108 (1996), ISSN-Number 0038-1101
ISSN:	0038-1101
Anzahl der Seiten:	4
DOI:	10.1016/0038-1101(95)00226-x
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Gerhard Brunthaler, K. Köhler, E. Litwin-Staszewska, C. Penn, T. Suski, P. Wisniewski
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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