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Publikationsdetails

Zitat: W. Faschinger, "Fundamental doping limits in wide gap II-VI compounds" , in Journal of Crystal Growth, Vol. 159, Nummer 1-4, Seite(n) 221-228, 1996,
W. Faschinger: "Fundamental doping limits in wide gap II-VI compounds", J. Crystal Growth, 159, 221-228 (1996) ISSN 0022-0248
Original Titel: Fundamental doping limits in wide gap II-VI compounds
Sprache des Titels: Englisch
Journal: Journal of Crystal Growth
Volume: 159
Number: 1-4
Seitenreferenz: 221-228
Erscheinungsjahr: 1996
Notiz zum Zitat: W. Faschinger: "Fundamental doping limits in wide gap II-VI compounds", J. Crystal Growth, 159, 221-228 (1996) ISSN 0022-0248
Anzahl der Seiten: 8
DOI: 10.1016/0022-0248(95)00677-x
Reichweite: international
Publikationstyp: Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren: W. Faschinger
Forschungseinheiten: Abteilung für Halbleiterphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
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