Publikationsdetails

Zitat:	W. Faschinger, "Fundamental doping limits in wide gap II-VI compounds" , in Semiconductor Heteroepitaxy: Growth, Characterization and Device Applications, 1995, W. Faschinger: "Fundamental doping limits in wide gap II-VI compounds", In: "Semiconductor Heteroepitaxy: Growth, Characterization and Device Applications", eds.: B. Gil, R.-L. Aulombard. World Scientific Publishing, Singapore 1995, p. 17.
Original Titel:	Fundamental doping limits in wide gap II-VI compounds
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Semiconductor Heteroepitaxy: Growth, Characterization and Device Applications
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	W. Faschinger: "Fundamental doping limits in wide gap II-VI compounds", In: "Semiconductor Heteroepitaxy: Growth, Characterization and Device Applications", eds.: B. Gil, R.-L. Aulombard. World Scientific Publishing, Singapore 1995, p. 17.
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	W. Faschinger
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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