Publikationsdetails

Zitat:	W. Faschinger, "Doping of wide gap II-VI compounds" , in Journal of Crystal Growth, 1995, ISSN: 0022-0248, W. Faschinger: "Doping of wide gap II-VI compounds", J. Crystal Growth 146, 80 (1995), ISSN-Number 0022-0248
Original Titel:	Doping of wide gap II-VI compounds
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Crystal Growth
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	W. Faschinger: "Doping of wide gap II-VI compounds", J. Crystal Growth 146, 80 (1995), ISSN-Number 0022-0248
ISSN:	0022-0248
DOI:	10.1016/0022-0248(94)00490-0
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	W. Faschinger
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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