Publikationsdetails

Zitat:	I. A. Karpovich, Margarita V. Stepikhova, Wolfgang Jantsch, "Heteroepitaxial Passivation of GaAs Surfaces and Its Influence on Photosensitivity Spectra and Recombination Parameters of GaAs Epitaxial Layers and Semi-Insulating Materials" : Proceedings of the Conference on Semiconducting and Insulating Materials, Seite(n) 63-67, 1998, I.A. Karpovich, M.V. Stepikhova, W. Jantsch: Heteroepitaxial Passivation of GaAs Surfaces and Its Influence on Photosensitivity Spectra and Recombination Parameters of GaAs Epitaxial Layers and Semi-Insulating Materials, Proc. Int. Conf. Semicond. Insul.,
Original Titel:	Heteroepitaxial Passivation of GaAs Surfaces and Its Influence on Photosensitivity Spectra and Recombination Parameters of GaAs Epitaxial Layers and Semi-Insulating Materials
Sprache des Titels:	Englisch
Original Buchtitel:	Proceedings of the Conference on Semiconducting and Insulating Materials
Seitenreferenz:	63-67
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	I.A. Karpovich, M.V. Stepikhova, W. Jantsch: Heteroepitaxial Passivation of GaAs Surfaces and Its Influence on Photosensitivity Spectra and Recombination Parameters of GaAs Epitaxial Layers and Semi-Insulating Materials, Proc. Int. Conf. Semicond. Insul.,
Anzahl der Seiten:	5
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in Tagungsband (nicht-referiert)
Autoren:	I. A. Karpovich, Margarita V. Stepikhova, Wolfgang Jantsch
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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