Optically Active Layers of Silicon Doped with Erbium during Sublimational Molecular Beam Epitaxy
Sprache des Titels:
Englisch
Journal:
Semiconductors
Volume:
33
Seitenreferenz:
131?134
Erscheinungsjahr:
1999
Notiz zum Zitat:
A.Yu. Andreev, B.A. Andreev, M.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik, M.V. Stepikhova, V. B. Shmagin, V.P. Kuznetsov, R.A. Rubtsova, E.A. Uskova, Yu.A. Karpov, H. Ellmer, L. Palmetshofer, K. Piplits, H. Hutter Optically Active Layers of Silicon Doped with Erbium during Sublimational Molecular Beam Epitaxy Semicond. 33, 131 (1999)